casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1LV0108ESN-5SI#B0
Número de pieza del fabricante | R1LV0108ESN-5SI#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1LV0108ESN-5SI#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV0108ESN-5SI#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV0108ESN-5SI#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1LV0108ESN-5SI#B0-FT |
BR93L56FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L66FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L76RFV-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L76RFVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24G01FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G08FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FV-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FV-3GTE2
Rohm Semiconductor
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel