casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1EX24128BSAS0I#K0
Número de pieza del fabricante | R1EX24128BSAS0I#K0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R1EX24128BSAS0I#K0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1EX24128BSAS0I#K0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1EX24128BSAS0I#K0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1EX24128BSAS0I#K0-FT |
BR24G16FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR24G256FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR24G64FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR24L04FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24S08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WGE2
Rohm Semiconductor
BR24T08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25G128FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel