casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / QSZ4TR
Número de pieza del fabricante | QSZ4TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QSZ4TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QSZ4TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 75mA, 1.5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potencia - max | 1.25W |
Frecuencia - Transición | 280MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ4TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QSZ4TR-FT |
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV300E-6FG456C
Xilinx Inc.
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC2V2000-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel