casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / QSZ3TR
Número de pieza del fabricante | QSZ3TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QSZ3TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QSZ3TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 3A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 30mA, 1.5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 500mW |
Frecuencia - Transición | 280MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ3TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QSZ3TR-FT |
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-256HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05-2AJC
Microchip Technology
EP3SL110F780I3
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EP20K1000EFC33-2X
Intel