casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / QST9TR
Número de pieza del fabricante | QST9TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QST9TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QST9TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potencia - max | 1.25W |
Frecuencia - Transición | 320MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QST9TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QST9TR-FT |
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-12SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-CQ208M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A75T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX24-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40E3SG
Intel
EPF10K50EQC208-1
Intel