casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / QS8M12TCR
Número de pieza del fabricante | QS8M12TCR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QS8M12TCR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS8M12TCR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 10V |
Potencia - max | 1.5W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8M12TCR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QS8M12TCR-FT |
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Xilinx Inc.
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Intel
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Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
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