casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / QS6Z5TR
Número de pieza del fabricante | QS6Z5TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QS6Z5TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6Z5TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Potencia - max | 1.25W |
Frecuencia - Transición | 360MHz, 400MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6Z5TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QS6Z5TR-FT |
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
Intel
EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel