casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / QS6J11TR
Número de pieza del fabricante | QS6J11TR |
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Número de parte futuro | FT-QS6J11TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6J11TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 770pF @ 6V |
Potencia - max | 600mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6J11TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QS6J11TR-FT |
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