casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / QS5W1TR
Número de pieza del fabricante | QS5W1TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-QS5W1TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS5W1TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 3A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 1.25W |
Frecuencia - Transición | 270MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS5W1TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QS5W1TR-FT |
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
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HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
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HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
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HN1C01FE-GR,LF
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HN1A01FE-GR,LF
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HN1B04FE-Y,LF
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XC6SLX9-2TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
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A42MX36-3BG272I
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A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484I7G
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
EP20K160EQC208-1X
Intel