casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / QH8JA1TCR
Número de pieza del fabricante | QH8JA1TCR |
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Número de parte futuro | FT-QH8JA1TCR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QH8JA1TCR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 720pF @ 10V |
Potencia - max | 1.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QH8JA1TCR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | QH8JA1TCR-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
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