casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PTFA081501F V1
Número de pieza del fabricante | PTFA081501F V1 |
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Número de parte futuro | FT-PTFA081501F V1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GOLDMOS® |
PTFA081501F V1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 900MHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | 10µA |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 950mA |
Salida de potencia | 150W |
Tensión nominal | 65V |
Paquete / Caja | 2-Flatpack, Fin Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | H-31248-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA081501F V1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PTFA081501F V1-FT |
AFT27S010NT1
NXP USA Inc.
AFT27S012NT1
NXP USA Inc.
MHT1006NT1
NXP USA Inc.
MHT1008NT1
NXP USA Inc.
AFT05MS006NT1
NXP USA Inc.
MMRF1021NT1
NXP USA Inc.
BLA1011-300,112
Ampleon USA Inc.
NE34018-T1
CEL
MWT-1789SB
Microwave Technology Inc.
ARF446G
Microsemi Corporation
M2GL060-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84
Microsemi Corporation
LFXP20E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4
Intel
EP3C80F780C6N
Intel