casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PTF080101M V1
Número de pieza del fabricante | PTF080101M V1 |
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Número de parte futuro | FT-PTF080101M V1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GOLDMOS® |
PTF080101M V1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 960MHz |
Ganancia | 16dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | 1µA |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 180mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 65V |
Paquete / Caja | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-RFP-10 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTF080101M V1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PTF080101M V1-FT |
BF1102R,115
NXP USA Inc.
BF1102R,135
NXP USA Inc.
BF1203,115
NXP USA Inc.
BF1204,115
NXP USA Inc.
BF1204,135
NXP USA Inc.
BF1205,115
NXP USA Inc.
BF1205,135
NXP USA Inc.
BF1205C,115
NXP USA Inc.
BF1206,115
NXP USA Inc.
BF1207,115
NXP USA Inc.
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel