casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN8R9-100BSEJ
Número de pieza del fabricante | PSMN8R9-100BSEJ |
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Número de parte futuro | FT-PSMN8R9-100BSEJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN8R9-100BSEJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 108A |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7.11nF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 296W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R9-100BSEJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN8R9-100BSEJ-FT |
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055MUK-S18-AY
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NP90N055NUK-S18-AY
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NTMFS23D9N06HLT1G
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NTMFS4833NST1G
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NTMFS4833NST3G
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel