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Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJ
- Número de pieza de MFG
- PSMN8R9-100BSEJ
- Cantidad disponible
- 64880 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Breve descripción
- - PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- PSMN8R9-100BSEJ.pdf
PSMN8R9-100BSEJ Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | PSMN8R9-100BSEJ |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-PSMN8R9-100BSEJ |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| PSMN8R9-100BSEJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 108A |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7.11nF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 296W |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PSMN8R9-100BSEJ Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | PSMN8R9-100BSEJ-FT |
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