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Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ

Name: PSMN8R5-100ESFQ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PSMN8R5-100ESFQ
Price: 0.71456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (147 reviews)

Número de pieza de MFG: PSMN8R5-100ESFQ

Cantidad disponible: 46690 Piezas

Precio de referencia: USD 0.71456

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fabricante: Nexperia USA Inc.

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PSMN8R5-100ESFQ.pdf

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Número de pieza del fabricante	PSMN8R5-100ESFQ
Número de parte futuro	FT-PSMN8R5-100ESFQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PSMN8R5-100ESFQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	97A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	44.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3181pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	183W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / Caja	TO-220-3, Short Tab
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-100ESFQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PSMN8R5-100ESFQ-FT

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