casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN6R3-120PS
Número de pieza del fabricante | PSMN6R3-120PS |
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Número de parte futuro | FT-PSMN6R3-120PS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN6R3-120PS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 207.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11384pF @ 60V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 405W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN6R3-120PS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN6R3-120PS-FT |
PH1225AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1330AL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MSX
Nexperia USA Inc.
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN075-100MSEX
Nexperia USA Inc.
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel