casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN4R2-60PLQ
Número de pieza del fabricante | PSMN4R2-60PLQ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PSMN4R2-60PLQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN4R2-60PLQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 130A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8533pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 263W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R2-60PLQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN4R2-60PLQ-FT |
PSMN2R8-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MSX
Nexperia USA Inc.
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN075-100MSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7M15-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M19-60EX
Nexperia USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel