casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN3R0-60BS,118
Número de pieza del fabricante | PSMN3R0-60BS,118 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN3R0-60BS,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R0-60BS,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8079pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 306W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R0-60BS,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN3R0-60BS,118-FT |
BSS192,115
Nexperia USA Inc.
BSS192,135
Nexperia USA Inc.
BSS87,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK9635-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80BS,118
Nexperia USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel