casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R0-60PS,127
Número de pieza del fabricante | PSMN2R0-60PS,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN2R0-60PS,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R0-60PS,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9997pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 338W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R0-60PS,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN2R0-60PS,127-FT |
PSMN0R9-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MSX
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BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30MLC,115
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PSMN075-100MSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel