casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN1R1-30PL,127
Número de pieza del fabricante | PSMN1R1-30PL,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN1R1-30PL,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R1-30PL,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 243nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14850pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 338W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R1-30PL,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN1R1-30PL,127-FT |
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7M15-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M19-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M11-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M156-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M24-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7M10-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M12-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel