casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN1R1-30EL,127
Número de pieza del fabricante | PSMN1R1-30EL,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN1R1-30EL,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R1-30EL,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 243nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14850pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 338W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R1-30EL,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN1R1-30EL,127-FT |
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
PSMN040-200W,127
NXP USA Inc.
BUK7905-40AIE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40AI,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40ATE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7907-40ATC,127
Nexperia USA Inc.
BUK7907-55AIE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7907-55ATE,127
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel