casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PQMH10Z
Número de pieza del fabricante | PQMH10Z |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PQMH10Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH10Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | 230MHz |
Potencia - max | 350mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH10Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PQMH10Z-FT |
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
5SGXEA7N2F40C1
Intel
5SGXEA7H1F35I2N
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel
EP2A40F1020C8
Intel