casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PQMH10Z
Número de pieza del fabricante | PQMH10Z |
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Número de parte futuro | FT-PQMH10Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH10Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | 230MHz |
Potencia - max | 350mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH10Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PQMH10Z-FT |
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Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC7A75T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C5N
Intel