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Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ

Número de pieza de MFG
PMXB360ENEAZ
Cantidad disponible
75470 Piezas
Precio de referencia
USD 0.101664
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fabricante
Nexperia USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMXB360ENEAZ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 130pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DFN1010D-3
Paquete / Caja 3-XDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB360ENEAZ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMXB360ENEAZ-FT

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