casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV30XPEAR
Número de pieza del fabricante | PMV30XPEAR |
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Número de parte futuro | FT-PMV30XPEAR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMV30XPEAR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1465pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 490mW (Ta), 5.435W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV30XPEAR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMV30XPEAR-FT |
PHB20NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PHB222NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB225NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB23NQ10LT,118
NXP USA Inc.
PHB29N08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB38N02LT,118
NXP USA Inc.
PHB55N03LTA,118
NXP USA Inc.
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB95NQ04LT,118
NXP USA Inc.
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel