casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV160UP,215
Número de pieza del fabricante | PMV160UP,215 |
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Número de parte futuro | FT-PMV160UP,215 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV160UP,215 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 365pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 335mW (Ta), 2.17W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV160UP,215 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMV160UP,215-FT |
PHB193NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB20NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PHB222NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB225NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB23NQ10LT,118
NXP USA Inc.
PHB29N08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB38N02LT,118
NXP USA Inc.
PHB55N03LTA,118
NXP USA Inc.
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel