casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV130ENEAR
Número de pieza del fabricante | PMV130ENEAR |
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Número de parte futuro | FT-PMV130ENEAR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV130ENEAR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 170pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 460mW (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV130ENEAR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMV130ENEAR-FT |
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB95NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75B,118
Nexperia USA Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
EP4CE55F23C9LN
Intel
EP3C80F780I7N
Intel
EP20K200RC240-1
Intel
EP2S90F1020C3
Intel