casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMPB19XP,115
Número de pieza del fabricante | PMPB19XP,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMPB19XP,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB19XP,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2890pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2020MD-6 |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB19XP,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMPB19XP,115-FT |
NX7002AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV20ENR
Nexperia USA Inc.
PMV37EN2R
Nexperia USA Inc.
BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
NX7002BKR
Nexperia USA Inc.
BSH114,215
Nexperia USA Inc.
PMV20XNER
Nexperia USA Inc.
PMV65XPEAR
Nexperia USA Inc.
2N7002BKVL
Nexperia USA Inc.
BSH202,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel