casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMPB19XP,115
Número de pieza del fabricante | PMPB19XP,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMPB19XP,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB19XP,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2890pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2020MD-6 |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB19XP,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMPB19XP,115-FT |
NX7002AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV20ENR
Nexperia USA Inc.
PMV37EN2R
Nexperia USA Inc.
BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
NX7002BKR
Nexperia USA Inc.
BSH114,215
Nexperia USA Inc.
PMV20XNER
Nexperia USA Inc.
PMV65XPEAR
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2N7002BKVL
Nexperia USA Inc.
BSH202,215
Nexperia USA Inc.
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
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EP1S60F1020C5N
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