casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMN25UN,115
Número de pieza del fabricante | PMN25UN,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMN25UN,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMN25UN,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 470pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 530mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN25UN,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMN25UN,115-FT |
SI2311DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2321DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2321DS-T1-GE3
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SI2327DS-T1-GE3
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XC4005E-2TQ144I
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M1A3P400-2PQ208
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