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NXP USA Inc. PMF63UN,115
- Número de pieza de MFG
- PMF63UN,115
- Cantidad disponible
- 69520 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- NXP USA Inc.
- Breve descripción
- - MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- PMF63UN,115.pdf
PMF63UN,115 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | PMF63UN,115 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-PMF63UN,115 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| PMF63UN,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 185pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 275mW (Ta), 1.785W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323-3 |
| Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMF63UN,115 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | PMF63UN,115-FT |
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