casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / PMEG45U10EPDAZ
Número de pieza del fabricante | PMEG45U10EPDAZ |
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Número de parte futuro | FT-PMEG45U10EPDAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG45U10EPDAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 45V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 490mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 16ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
Capacitancia a Vr, F | 1170pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | CFP15 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG45U10EPDAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMEG45U10EPDAZ-FT |
BAL99,215
Nexperia USA Inc.
BAS40,215
Nexperia USA Inc.
BAT754,215
Nexperia USA Inc.
BAL74,215
Nexperia USA Inc.
BAS101,215
Nexperia USA Inc.
BAS116,235
Nexperia USA Inc.
BAS16,235
Nexperia USA Inc.
BAS17,215
Nexperia USA Inc.
BAS19,215
Nexperia USA Inc.
BAS19,235
Nexperia USA Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
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5SGXMA7N2F45C2
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M1AGL600V5-FG144I
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Lattice Semiconductor Corporation
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