casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / PMEG3010BEP,115
Número de pieza del fabricante | PMEG3010BEP,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMEG3010BEP,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG3010BEP,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 450mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 170pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-128 |
Paquete del dispositivo del proveedor | CFP5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3010BEP,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMEG3010BEP,115-FT |
PMEG4005ESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG2002AESF,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2002ESF,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3002ESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3005AESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3005ESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG1201AESFYL
Nexperia USA Inc.
BAS16LD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG6002ELDYL
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AELD,315
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel