casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / PMDXB950UPEZ
Número de pieza del fabricante | PMDXB950UPEZ |
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Número de parte futuro | FT-PMDXB950UPEZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDXB950UPEZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 43pF @ 10V |
Potencia - max | 265mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB950UPEZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMDXB950UPEZ-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
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10CX220YF780E5G
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Intel
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