casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / PMBT3906VS,115
Número de pieza del fabricante | PMBT3906VS,115 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PMBT3906VS,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMBT3906VS,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potencia - max | 360mW |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBT3906VS,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMBT3906VS,115-FT |
EMZ1DXV6T1G
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T5
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T5G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T5
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO256E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV100-4FG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N1F40C2N
Intel
XC4005E-2PC84C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQC240-1N
Intel