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NXP USA Inc. PHB112N06T,118

Número de pieza de MFG
PHB112N06T,118
Cantidad disponible
24210 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante PHB112N06T,118
Número de parte futuro FT-PHB112N06T,118
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHB112N06T,118 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4352pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB112N06T,118 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PHB112N06T,118-FT

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