casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PEMD2,115
Número de pieza del fabricante | PEMD2,115 |
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Número de parte futuro | FT-PEMD2,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMD2,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD2,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PEMD2,115-FT |
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5137DW1T1G
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NSVMUN5211DW1T2G
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NSVMUN5213DW1T3G
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NSVMUN5233DW1T3G
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NSVMUN5235DW1T1G
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NSVMUN5312DW1T3G
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NSVMUN531335DW1T3G
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NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
EP3SL50F484I4N
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5SGXEA3K3F40C2LN
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10M50DAF672C6G
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10AX048H2F34I2LG
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10AX027H3F35E2LG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3
Intel