casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PEMB1,115
Número de pieza del fabricante | PEMB1,115 |
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Número de parte futuro | FT-PEMB1,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMB1,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB1,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PEMB1,115-FT |
SMUN5114DW1T1G
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SMUN5214DW1T1G
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XC3S1500-5FG320C
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10M40DCF256I7G
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EP4CE22F17C9LN
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5SGSMD5H3F35I3N
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XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
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