casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Detectores de fotos - CdS Cells / PDV-P9006
Número de pieza del fabricante | PDV-P9006 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PDV-P9006 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P9006 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Longitud de onda | 520nm |
Voltaje - Máx. | 150Vpk |
Tiempo de subida (tipo) | 60ms |
Tiempo de caída (tipo) | 25ms |
Resistencia Celular (Min) @ Oscuro | 5 MOhms @ 10s |
Resistencia Celular @ Iluminancia | 80 ~ 200 kOhms @ 10 lux |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P9006 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDV-P9006-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
LCMXO2280C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F27C7N
Intel
EP2C15AF256C6N
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F23I7N
Intel
10AX066H4F34E3SG
Intel
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35I5N
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel