casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / PDTD143XQAZ
Número de pieza del fabricante | PDTD143XQAZ |
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Número de parte futuro | FT-PDTD143XQAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD143XQAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 210MHz |
Potencia - max | 325mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD143XQAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDTD143XQAZ-FT |
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.
PDTA144VE,115
NXP USA Inc.
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
PDTC114EE,115
NXP USA Inc.
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel