casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / PDTD143EQAZ
Número de pieza del fabricante | PDTD143EQAZ |
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Número de parte futuro | FT-PDTD143EQAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD143EQAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 210MHz |
Potencia - max | 325mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD143EQAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDTD143EQAZ-FT |
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.
PDTA144VE,115
NXP USA Inc.
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
PDTC114EE,115
NXP USA Inc.
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
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M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
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EP2SGX60EF1152I4N
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5SGXMA3H1F35C2N
Intel