casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / PDTD123YQAZ
Número de pieza del fabricante | PDTD123YQAZ |
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Número de parte futuro | FT-PDTD123YQAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD123YQAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 210MHz |
Potencia - max | 325mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123YQAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDTD123YQAZ-FT |
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.
PDTA144VE,115
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PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
PDTC114EE,115
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