casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / PDTD113EQAZ
Número de pieza del fabricante | PDTD113EQAZ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PDTD113EQAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD113EQAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 1 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 210MHz |
Potencia - max | 325mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD113EQAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDTD113EQAZ-FT |
PDTA123YE,115
NXP USA Inc.
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.