casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / PDTB143EQAZ
Número de pieza del fabricante | PDTB143EQAZ |
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Número de parte futuro | FT-PDTB143EQAZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB143EQAZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - max | 325mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB143EQAZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDTB143EQAZ-FT |
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
EP1C6T144C8
Intel
EPF6016ATC144-1N
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel