casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Fotodiodos / PDI-V109-F
Número de pieza del fabricante | PDI-V109-F |
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Número de parte futuro | FT-PDI-V109-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDI-V109-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Longitud de onda | 950nm |
Color - Mejorado | - |
Rango espectral | 700nm ~ 1100nm |
Tipo de diodo | PIN |
Responsividad @ nm | - |
Tiempo de respuesta | 800ns |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Actual - Oscuro (Tipo) | 300pA |
Área activa | 42.86mm² |
Ángulo de visión | 55° |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 80°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDI-V109-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PDI-V109-F-FT |
PDB-C615-3
Advanced Photonix
PDB-C616-1
Advanced Photonix
PDB-C616-2
Advanced Photonix
PDB-C616-3
Advanced Photonix
PDB-C617-1
Advanced Photonix
PDB-C617-2
Advanced Photonix
PDB-C617-3
Advanced Photonix
PDB-C618-1
Advanced Photonix
PDB-C618-2
Advanced Photonix
PDB-C618-3
Advanced Photonix
XA3S250E-4CPG132Q
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-2PQG208
Microsemi Corporation
EP2C15AF484I8N
Intel
A54SX32A-1BGG329M
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-FPQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780I7N
Intel