casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD85006-E
Número de pieza del fabricante | PD85006-E |
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Número de parte futuro | FT-PD85006-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD85006-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 870MHz |
Ganancia | 17dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 2A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 200mA |
Salida de potencia | 6W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-PowerSO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD85006-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD85006-E-FT |
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
SPF-3143
RFMD
MMBF4416A
ON Semiconductor
MMBF5486
ON Semiconductor
MMBF4416
ON Semiconductor
EP20K60ETC144-3
Intel
LCMXO256E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
EP3SE260F1517C3N
Intel
EP3C25E144A7N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS200F780C7
Intel