casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD85006-E
Número de pieza del fabricante | PD85006-E |
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Número de parte futuro | FT-PD85006-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD85006-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 870MHz |
Ganancia | 17dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 2A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 200mA |
Salida de potencia | 6W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-PowerSO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD85006-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD85006-E-FT |
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
SPF-3143
RFMD
MMBF4416A
ON Semiconductor
MMBF5486
ON Semiconductor
MMBF4416
ON Semiconductor
XCKU035-2FFVA1156E
Xilinx Inc.
LFE5UM-85F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C7
Intel
EP2SGX60DF780I4N
Intel