casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD57060-E
Número de pieza del fabricante | PD57060-E |
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Número de parte futuro | FT-PD57060-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD57060-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 945MHz |
Ganancia | 14.3dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | 7A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 100mA |
Salida de potencia | 60W |
Tensión nominal | 65V |
Paquete / Caja | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-PowerSO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57060-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD57060-E-FT |
BF904WR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF908WR,115
NXP USA Inc.
BF909AWR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
XC2V1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC2V1000-6FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C16U484C6
Intel
EP20K200CF484C7ES
Intel
LCMXO2-4000ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U1F45E1SG
Intel
EP4CE40F29C9LN
Intel
5SGSMD3H2F35I2L
Intel