casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / PD30ETB20NAIS
Número de pieza del fabricante | PD30ETB20NAIS |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PD30ETB20NAIS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD30ETB20NAIS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Reflective, Diffuse |
Distancia de detección | 7.874" (200mm) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | - |
Configuración de salida | NPN |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IP68, IP69K |
Longitud del cable | 78.74" (2m) |
Fuente de luz | Infrared (850nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 60°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD30ETB20NAIS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD30ETB20NAIS-FT |
PA18CLR30TOM6
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRP40NAM1SA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRP40NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50NAM1SA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50PAM1SA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16M1
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16NAM1SA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16PAM1SA
Carlo Gavazzi Inc.
PA3PNPA
Carlo Gavazzi Inc.
M2GL025T-VF400
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29I3
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EP20K60EQC240-3
Intel