casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010STR-E
Número de pieza del fabricante | PD20010STR-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010STR-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
EP20K60ETC144-3
Intel
LCMXO256E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
EP3SE260F1517C3N
Intel
EP3C25E144A7N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS200F780C7
Intel