casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010STR-E
Número de pieza del fabricante | PD20010STR-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010STR-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
LFE2-20E-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M2GL025-VFG256
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6N2F45I3N
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel