casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010S-E
Número de pieza del fabricante | PD20010S-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010S-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
10CL080YU484C8G
Intel
EP1K100FC484-3N
Intel
EP4SGX180KF40C3N
Intel
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30RI208-4N
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel