casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010S-E
Número de pieza del fabricante | PD20010S-E |
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Número de parte futuro | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010S-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 2GHz |
Ganancia | 11dB |
Voltaje - prueba | 13.6V |
Valoración actual | 5A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 150mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 40V |
Paquete / Caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
A54SX32A-1TQG176M
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10AX032H4F35I3SG
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQI240-2
Intel
EP2AGZ300FF35I3N
Intel