casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / PBSS4260PANP,115
Número de pieza del fabricante | PBSS4260PANP,115 |
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Número de parte futuro | FT-PBSS4260PANP,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4260PANP,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 90mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potencia - max | 510mW |
Frecuencia - Transición | 140MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4260PANP,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PBSS4260PANP,115-FT |
NSVT45010MW6T3G
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BC847BDW1T3G
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XC4006E-3TQ144I
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XCV200E-8FG256C
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5SGXEA5K2F40C1N
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5SGXMA5N2F40I3LN
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XC4020XL-3BG256C
Xilinx Inc.
AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3
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