casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NXPSC06650DJ
Número de pieza del fabricante | NXPSC06650DJ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NXPSC06650DJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC06650DJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 6A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC06650DJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NXPSC06650DJ-FT |
MBRF10H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRM120ET1H
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel