casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / NXPSC04650XQ
Número de pieza del fabricante | NXPSC04650XQ |
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Número de parte futuro | FT-NXPSC04650XQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC04650XQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 4A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650XQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NXPSC04650XQ-FT |
MBRF10H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel